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    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    包装方式: 管件
    栅极电荷: 100nC@10V
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:40+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R070P6FKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R070P6FKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":240}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ60R070P6FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4.5V@1.72mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@100V

    连续漏极电流:53.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:29
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H015G5WS
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H015G5WS

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H015G5WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:266W

    阈值电压:4.8V@2mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5218pF@400V

    连续漏极电流:93A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@60A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA69N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4640pF@25V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@34.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH64N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3620pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA69N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4640pF@25V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@34.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA69N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4640pF@25V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@34.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH64N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3620pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R070P6FKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R070P6FKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":240}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ60R070P6FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4.5V@1.72mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@100V

    连续漏极电流:53.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP35N15G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€178W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H015G5WS
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H015G5WS

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H015G5WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:266W

    阈值电压:4.8V@2mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5218pF@400V

    连续漏极电流:93A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@60A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H015G5WS
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H015G5WS

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H015G5WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:266W

    阈值电压:4.8V@2mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5218pF@400V

    连续漏极电流:93A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@60A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:510
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R070P6XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R070P6XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R070P6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4.5V@1.72mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@100V

    连续漏极电流:53.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R070P6XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R070P6XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R070P6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4.5V@1.72mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@100V

    连续漏极电流:53.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MICROSEMI Mosfet场效应管 APT6017LFLLG 起订1个装
    MICROSEMI Mosfet场效应管 APT6017LFLLG 起订1个装

    品牌:MICROSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT6017LFLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@2.5mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA64N10L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA64N10L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA64N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3620pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP35N15G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€178W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:239
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP35N15G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€178W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:90
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDA69N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA69N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4640pF@25V

    连续漏极电流:69A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@34.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MICROSEMI Mosfet场效应管 APT6017LFLLG
    MICROSEMI Mosfet场效应管 APT6017LFLLG

    品牌:MICROSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT6017LFLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@2.5mA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R070P6XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R070P6XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R070P6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4.5V@1.72mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@100V

    连续漏极电流:53.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    加购:5
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