采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014SLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP21N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1388pF@100V
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@11A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK80ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：220}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG21N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1388pF@100V
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@11A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK80ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK80ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK80ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW10NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW10NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035KNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035KNZ1C9
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK80ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK80ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG21N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1388pF@100V
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@11A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
