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    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    包装方式: 管件
    漏源电压: 100V
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:1400+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8D5N10C
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8D5N10C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":665,"19+":926,"MI+":615}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€35W

    阈值电压:4V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2475pF@50V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:72
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA80N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3040pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP100N10S305AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP100N10S305AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP100N10S305AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9000pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF100N10F7
    ST Mosfet场效应管 STF100N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP045N10N3GXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP045N10N3GXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP045N10N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.5V@150µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8410pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 VS-FC420SA10
    VISHAY Mosfet场效应管 VS-FC420SA10

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VS-FC420SA10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:652W

    阈值电压:3.8V@750µA

    栅极电荷:375nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:17300pF@25V

    连续漏极电流:435A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@200A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8D5N10C
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8D5N10C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€35W

    阈值电压:4V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2475pF@50V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@76A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP026N10NF2SAKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP026N10NF2SAKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP026N10NF2SAKMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:3.8V@169µA

    栅极电荷:154nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@50V

    连续漏极电流:27A€184A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF510PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF510PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF510PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:66
    加购:50
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8115pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF530SPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF530SPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF530SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75645P3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:238nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3790pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF510PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF510PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF510PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP4110PBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP4110PBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP4110PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:370W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    加购:25
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK755R4-100E,127
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK755R4-100E,127

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK755R4-100E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:349W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11810pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:187
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK250N10P
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK250N10P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK250N10P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1250W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:16000pF@25V

    连续漏极电流:250A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLD110PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLD110PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLD110PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@600mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF2D3N10C
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF2D3N10C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF2D3N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@700µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11180pF@50V

    连续漏极电流:222A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AOI4286 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOI4286 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOI4286

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:390pF@50V

    连续漏极电流:4A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD19531KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD19531KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75639G3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75639G3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75639G3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@56A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:103
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP140PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP140PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP140PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2D3N10C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2D3N10C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP2D3N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4V@700µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11180pF@50V

    连续漏极电流:222A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI045N10N3GXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI045N10N3GXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI045N10N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.5V@150µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8410pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N10S403AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP120N10S403AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":7268,"20+":13700,"23+":8000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP120N10S403AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:3.5V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10120pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:55
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP047N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15265pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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