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    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    包装方式: 管件
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    当前匹配商品:1700+
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    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R027M1HXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R027M1HXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMW65R027M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:189W

    阈值电压:5.7V@11mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:2131pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@38.3A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R099CPFKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R099CPFKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R099CPFKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:3.5V@1.2mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2800pF@100V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@18A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW35N60C3FKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW35N60C3FKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:3.9V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:34.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@21.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA65R027M1HXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA65R027M1HXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":206}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZA65R027M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:189W

    阈值电压:5.7V@11mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:2131pF@400V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@38.3A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:43
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R095C7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R095C7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA65R095C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2140pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCU600N65S3R0
    onsemi Mosfet场效应管 FCU600N65S3R0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCU600N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4.5V@600µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:465pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP190N65F
    onsemi Mosfet场效应管 FCP190N65F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP190N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3225pF@25V

    连续漏极电流:20.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R041CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R041CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R041CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4.5V@1.24mA

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4975pF@400V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@24.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH067N65S3-F155
    onsemi Mosfet场效应管 FCH067N65S3-F155

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":80}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH067N65S3-F155

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@4.4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3090pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:96
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL050N65S3HF
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL050N65S3HF

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:378W

    阈值电压:5V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5017pF@400V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@29A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF20N65-BP
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF20N65-BP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJPF20N65-BP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R018CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R018CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R018CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446W

    阈值电压:4.5V@2.91mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:234nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11659pF@400V

    连续漏极电流:106A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@58.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R019C7FKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R019C7FKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446W

    阈值电压:4V@2.92mA

    栅极电荷:215nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9900pF@400V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@58.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R019C7FKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R019C7FKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446W

    阈值电压:4V@2.92mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:215nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9900pF@400V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@58.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH62N65X2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH62N65X2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH62N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780W

    阈值电压:4.5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5940pF@25V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@31A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF099N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF099N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF099N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:4.5V@3mA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2310pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY4N65X2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY4N65X2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY4N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:80W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R041CFDFKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R041CFDFKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R041CFDFKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:4.5V@3.3mA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8400pF@100V

    连续漏极电流:68.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@33.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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