品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4954pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4954pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM170N06CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4954pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4954pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
导通电阻:90mΩ@6A,10V
输入电容:500pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:25W
包装方式:管件
栅极电荷:9.3nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
导通电阻:90mΩ@6A,10V
输入电容:500pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:25W
包装方式:管件
栅极电荷:9.3nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM100N06CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4382pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR014PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR014PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLU024PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:管件
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF66616L
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W€30W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2870pF@30V
连续漏极电流:38A€72.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR024PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@8.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18537NKCS
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR014PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLU014PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR014PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR014PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR014PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":0,"22+":0}
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU13N06LTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: