采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC060SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：2.4V@1mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1175pF@700V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@20A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA105N15N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：40.5W
阈值电压：4V@160µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4300pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@37A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：1221
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：75，"23+"：46500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN027-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1624pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：26.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN027-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1624pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：26.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA105N15N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：40.5W
阈值电压：4V@160µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4300pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@37A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：75，"23+"：46500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN027-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1624pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：26.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：75，"23+"：46500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN027-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1624pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：26.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC060SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：2.4V@1mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1175pF@700V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@20A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
