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    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    包装方式: 管件
    连续漏极电流: 20A
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:40+
    商品信息
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    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12160T4
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12160T4

    品牌:瞻芯

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IV1Q12160T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:138W

    阈值电压:2.9V@1.9mA

    栅极电荷:43nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:885pF@800V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12160T4
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12160T4

    品牌:瞻芯

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IV1Q12160T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:138W

    阈值电压:2.9V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:885pF@800V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12160T4
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12160T4

    品牌:瞻芯

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IV1Q12160T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:138W

    阈值电压:2.9V@1.9mA

    栅极电荷:43nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:885pF@800V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12160T4
    瞻芯 Mosfet场效应管 IV1Q12160T4

    品牌:瞻芯

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IV1Q12160T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:138W

    阈值电压:2.9V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:885pF@800V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@10A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP20NF06L
    ST Mosfet场效应管 STP20NF06L

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NF06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP20NQ20T,127
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP20NQ20T,127

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":1000,"17+":1400,"18+":2080}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHP20NQ20T,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:327
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2104

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ34GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ34GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06L-001
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06L-001

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":1851}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06L-001

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STP20NF06L 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STP20NF06L 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NF06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    ST Mosfet场效应管 STP20NF06
    ST Mosfet场效应管 STP20NF06

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NF06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:43
    加购:43
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:21+

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2104

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI540NPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI540NPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI540NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI540NPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI540NPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI540NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STP20NF06
    ST Mosfet场效应管 STP20NF06

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NF06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:43
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI540NPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI540NPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI540NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ34GPBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ34GPBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP20NQ20T,127
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP20NQ20T,127

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":1000,"17+":1400,"18+":2080}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHP20NQ20T,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:21+

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06L-001
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06L-001

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06L-001

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:782
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ34GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ34GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI540NPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI540NPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI540NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLIZ34GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLIZ34GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLIZ34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@12A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06L-001
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06L-001

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":1851}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06L-001

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:782
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06-001
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06-001

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":1050,"MI+":2386}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06-001

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1527
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ34GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ34GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2104

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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