品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
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输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
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输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
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库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
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连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
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连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
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输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
漏源电压:500V
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8nC@10V
工作温度:-50℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2.8A
ECCN:EAR99
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
漏源电压:500V
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8nC@10V
工作温度:-50℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2.8A
ECCN:EAR99
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
输入电容:331pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
漏源电压:500V
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8nC@10V
工作温度:-50℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2.8A
ECCN:EAR99
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
输入电容:331pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
漏源电压:500V
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8nC@10V
工作温度:-50℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
输入电容:331pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: