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    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    漏源电压: 500V
    包装方式: 管件
    功率: 520W
    当前匹配商品:10+
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    IXYS Mosfet场效应管 IXFN48N50 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN48N50 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN48N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:4V@8mA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8400pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@500mA,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT50M65JFLL 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT50M65JFLL 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT50M65JFLL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7010pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@29A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT37F50B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT37F50B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT37F50B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5710pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@18A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010LLLG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010LLLG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT5010LLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4360pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@23A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010LFLLG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010LFLLG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):25psc

    规格型号(MPN):APT5010LFLLG

    功率:520W

    漏源电压:500V

    导通电阻:100mΩ@23A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:4360pF@25V

    包装方式:管件

    阈值电压:5V@2.5mA

    连续漏极电流:46A

    栅极电荷:95nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MICROSEMI Mosfet场效应管 APT50M65JLL 起订1个装
    MICROSEMI Mosfet场效应管 APT50M65JLL 起订1个装

    品牌:MICROSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT50M65JLL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7010pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@29A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010LFLLG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010LFLLG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT5010LFLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4360pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@23A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010LLLG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010LLLG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):25psc

    规格型号(MPN):APT5010LLLG

    功率:520W

    漏源电压:500V

    导通电阻:100mΩ@23A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:4360pF@25V

    包装方式:管件

    阈值电压:5V@2.5mA

    连续漏极电流:46A

    栅极电荷:95nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010B2FLLG 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010B2FLLG 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT5010B2FLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4360pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@23A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 MMIX1F132N50P3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 MMIX1F132N50P3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):20psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMIX1F132N50P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:18600pF@25V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@66A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N50 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N50 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1543

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN44N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:4V@8mA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8400pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@500mA,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010LLLG 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010LLLG 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT5010LLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4360pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@23A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010LFLLG 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT5010LFLLG 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT5010LFLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4360pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@23A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MICROSEMI Mosfet场效应管 APT50M65JLL 起订100个装
    MICROSEMI Mosfet场效应管 APT50M65JLL 起订100个装

    品牌:MICROSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT50M65JLL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7010pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@29A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT50M65JFLL 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT50M65JFLL 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT50M65JFLL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7010pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@29A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 MMIX1F132N50P3 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 MMIX1F132N50P3 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):20psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMIX1F132N50P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:18600pF@25V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@66A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 MMIX1F132N50P3 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 MMIX1F132N50P3 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):20psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMIX1F132N50P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:18600pF@25V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@66A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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