品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2974,"10+":202,"12+":199,"13+":564,"14+":63445,"16+":7500,"18+":39000,"19+":22914,"21+":27500,"22+":3872}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4858NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€54.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1563pF@12V
连续漏极电流:11.2A€73A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":22500,"11+":517500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4865NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€33.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@12V
连续漏极电流:8.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1308pF@12V
连续漏极电流:10.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2925}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4855N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.35W€66.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32.7nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2950pF@12V
连续漏极电流:14A€98A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":4950}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4854N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€93.75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@12V
连续漏极电流:15.7A€128A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2550}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4856N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.33W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2241pF@12V
连续漏极电流:13.3A€89A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":355000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4863NAT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€36.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@12V
连续漏极电流:9.2A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1500,"10+":45825,"11+":195900}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4863N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€36.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:990pF@12V
连续漏极电流:9.2A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1800}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4854N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€93.75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@12V
连续漏极电流:15.7A€128A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":75,"13+":750,"14+":110416,"18+":5425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4858N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€54.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1563pF@12V
连续漏极电流:11.2A€73A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":1080,"11+":55889}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4858NAT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€54.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1563pF@12V
连续漏极电流:11.2A€73A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1500,"10+":45825,"11+":195900}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4863N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€36.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:990pF@12V
连续漏极电流:9.2A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2250}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4856N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.33W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2241pF@12V
连续漏极电流:13.3A€89A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":10425}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4855N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.35W€66.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32.7nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2950pF@12V
连续漏极电流:14A€98A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":63000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1795pF@13V
连续漏极电流:16.7A€49A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":5700}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4857NA-1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1960pF@12V
连续漏极电流:12A€78A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":75,"13+":750,"14+":110416,"18+":5425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4858N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€54.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1563pF@12V
连续漏极电流:11.2A€73A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA26DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":8325}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NA-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1308pF@12V
连续漏极电流:10.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1308pF@12V
连续漏极电流:10.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1308pF@12V
连续漏极电流:10.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: