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    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ11-NR4941

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438_R1_00001 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438_R1_00001 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3438_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.95nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-13-F 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-13-F 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138-13-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUC002N05HZGT116 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUC002N05HZGT116 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUC002N05HZGT116

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT1G 起订55个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT1G 起订55个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138-G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138-G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1J002YNTCL 起订21个装
    ROHM Mosfet场效应管 RU1J002YNTCL 起订21个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RU1J002YNTCL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:800mV@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW€920mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138BKT-TP 起订13个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138BKT-TP 起订13个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:58pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW€920mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUC002N05HZGT116 起订14个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUC002N05HZGT116 起订14个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUC002N05HZGT116

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01S-TL-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01S-TL-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":51000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5LN01S-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.6pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8Ω@50mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 BSS138 起订11个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 BSS138 起订11个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:2.4nC@10V

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUC002N05HZGT116 起订25个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUC002N05HZGT116 起订25个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUC002N05HZGT116

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ20PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ20PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ20PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@10A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT1G 起订56个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138LT1G 起订56个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01SS-TL-E 起订4579个装
    onsemi Mosfet场效应管 5LN01SS-TL-E 起订4579个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":76000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5LN01SS-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.6pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8Ω@50mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订106个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订106个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138Q-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN5L06K-7 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN5L06K-7 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN5L06K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138-G 起订15个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138-G 起订15个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0U-13 起订48个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0U-13 起订48个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.1pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 5HN01M-TL-H 起订1496个装
    onsemi Mosfet场效应管 5HN01M-TL-H 起订1496个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":222000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):5HN01M-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.2pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS138-TP 起订155个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS138-TP 起订155个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20Q-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20Q-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW€920mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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