采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.25A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3414
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.25A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.25A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3414
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1200，"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R600CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：86W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：474pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3414
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
