品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":893}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":295}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N04S6N006ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10117pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: