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    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 120A
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:100+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-30BLEJ 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-30BLEJ 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R5-30BLEJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:401W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:228nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14934pF@15V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP160N3LL 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP160N3LL 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP160N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR90-30BL,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR90-30BL,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMNR90-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:243nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14850pF@15V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R0-30C,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R0-30C,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000,"9999":1,"MI+":989}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK652R0-30C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:229nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14964pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BLE,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BLE,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:178W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4682pF@15V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订200个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订200个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订750个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订750个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R8-30C,118 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R8-30C,118 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10918pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK961R5-30E,118 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK961R5-30E,118 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":50,"13+":4442,"9999":275}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK961R5-30E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:324W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R8-30C,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R8-30C,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10918pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR90-30BL,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR90-30BL,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMNR90-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:243nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14850pF@15V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BLE,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BLE,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:178W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4682pF@15V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP160N3LL 起订537个装
    ST Mosfet场效应管 STP160N3LL 起订537个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":125000,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP160N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK751R6-30E,127 起订274个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK751R6-30E,127 起订274个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK751R6-30E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:349W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:154nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11960pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R1-30C,127 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R1-30C,127 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4998,"9999":6}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK652R1-30C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10918pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-30BLEJ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-30BLEJ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R5-30BLEJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:401W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:228nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14934pF@15V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK961R5-30E,118 起订315个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK961R5-30E,118 起订315个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK961R5-30E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:324W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:93.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK961R5-30E,118 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK961R5-30E,118 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK961R5-30E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:324W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:93.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP160N3LL 起订5000个装
    ST Mosfet场效应管 STP160N3LL 起订5000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":125000,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP160N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N03S4L03ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N03S4L03ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB120N03S4L03ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2.2V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@100A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R1-30EL,127 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R1-30EL,127 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3999,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R1-30EL,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:338W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:243nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14850pF@15V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R0-30C,127 起订114个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R0-30C,127 起订114个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000,"9999":1,"MI+":989}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK652R0-30C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:229nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14964pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R6-30C,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R6-30C,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK661R6-30C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    栅极电荷:229nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14964pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R8-30C,118 起订295个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R8-30C,118 起订295个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10918pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R0-30C,127 起订1000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R0-30C,127 起订1000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000,"9999":1,"MI+":989}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK652R0-30C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:229nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14964pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R1-30PL,127 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R1-30PL,127 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R1-30PL,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:338W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:243nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14850pF@15V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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