采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD3055L170T4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：350，"22+"：1433404}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：641，"16+"：129500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L170T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：350，"22+"：1433404}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L170T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L170T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
