品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":995,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N65M5
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD9N60NTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:92.6W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N60ZUT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA9N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA9N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:644pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA9N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":995,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA9N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":995,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA9N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M5
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU12N20TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: