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    连续漏极电流
    5A
    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 5A
    当前匹配商品:1400+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订17个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订17个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUQ050N02TR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUQ050N02TR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUQ050N02TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@1mA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCD051N20TL 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCD051N20TL 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCD051N20TL

    工作温度:150℃

    功率:850mW€20W

    阈值电压:5.25V@1mA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:760mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6431-TL-H 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6431-TL-H 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2057}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6431-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB29XNE,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB29XNE,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB29XNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024ZTRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLL024ZTRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL024ZTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP5NK60Z 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STP5NK60Z 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP5NK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:690pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD050N10TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD050N10TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD050N10TL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P050SNTL1

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CZ C0G 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM5NC50CZ C0G 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:586pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASPBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASPBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8005ANJFRGTL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8005ANJFRGTL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8005ANJFRGTL

    工作温度:150℃

    功率:120W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050UNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050UNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C050UNTR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R1K5CEXKSA1 起订1053个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R1K5CEXKSA1 起订1053个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2500,"19+":37000,"22+":39000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R1K5CEXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA6N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA6N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA6N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:422pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD7NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD7NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD7NM60N

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:363pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ42DN25NS3GATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ42DN25NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@13µA

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR220NTRPBF 起订9个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR220NTRPBF 起订9个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8005ANJFRGTL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8005ANJFRGTL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8005ANJFRGTL

    工作温度:150℃

    功率:120W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUQ050N02TR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUQ050N02TR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUQ050N02TR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@1mA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K5CEATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订7个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订7个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 ZDX050N50 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 ZDX050N50 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZDX050N50

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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