品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13NM60ND
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF16N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:718pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF16N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:718pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13NM60ND
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N06CH X0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):46psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFH13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):46psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFH13N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: