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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：58，"21+"：50}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R220M1HXKSA1
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功率：75W
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类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R220M1HXKSA1
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功率：75W
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：12000，"21+"：4340，"MI+"：960}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
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库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R350MT12J
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功率：75W
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栅极电荷：12nC@15V
包装方式：管件
输入电容：334pF@800V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@4A，15V
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：12000，"21+"：4340，"MI+"：960}
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销售单位：个
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库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
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功率：75W
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类型：N沟道
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漏源电压：1200V
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
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功率：75W
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类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：12000，"21+"：4340，"MI+"：960}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
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功率：75W
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类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
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连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
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包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R350MT12J
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.69V@2mA
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包装方式：管件
输入电容：334pF@800V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@4A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R350MT12J
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.69V@2mA
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包装方式：管件
输入电容：334pF@800V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@4A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：12000，"21+"：4340，"MI+"：960}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
栅极电荷：8.5nC@18V
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输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R350MT12J
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.69V@2mA
栅极电荷：12nC@15V
包装方式：管件
输入电容：334pF@800V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@4A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R220M1HXKSA1
栅极电荷：8.5nC@18V
类型：N沟道
输入电容：289pF@800V
漏源电压：1200V
导通电阻：220mΩ@4A，18V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：13A
包装方式：管件
阈值电压：5.7V@1.6mA
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：G3R350MT12J
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@4A，15V
漏源电压：1200V
阈值电压：2.69V@2mA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：12nC@15V
包装方式：管件
输入电容：334pF@800V
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
栅极电荷：8.5nC@18V
类型：N沟道
输入电容：289pF@800V
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：13A
包装方式：管件
阈值电压：5.7V@1.6mA
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
栅极电荷：8.5nC@18V
类型：N沟道
输入电容：289pF@800V
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：13A
包装方式：管件
ECCN：EAR99
阈值电压：5.7V@1.6mA
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
生产批次：{"20+"：12000，"21+"：4340，"MI+"：960}
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
栅极电荷：8.5nC@18V
类型：N沟道
输入电容：289pF@800V
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：13A
包装方式：管件
ECCN：EAR99
阈值电压：5.7V@1.6mA
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
栅极电荷：8.5nC@18V
类型：N沟道
输入电容：289pF@800V
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：13A
包装方式：管件
阈值电压：5.7V@1.6mA
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
