品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):G3R350MT12J
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
阈值电压:2.69V@2mA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.69V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: