采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
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规格型号(MPN)：IRF630
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类型：N沟道
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD80N3LL
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD80N3LL
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功率：75W
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规格型号(MPN)：IRF630
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功率：75W
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包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：STD80N3LL
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规格型号(MPN)：STL30N10F7
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功率：75W
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栅极电荷：14nC@10V
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输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：920pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
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规格型号(MPN)：STD80N3LL
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
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规格型号(MPN)：IRF630
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阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
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连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
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规格型号(MPN)：IRF630
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功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
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规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
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输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL30N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
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规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
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漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL30N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
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输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL30N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STL30N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
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栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
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工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL40N75LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：75V
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