采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：134pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：134pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500，"19+"：37000，"22+"：39000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R1K5CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@30µA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：134pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9N60M2
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004ENDTL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9N60M2
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9N60M2
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：134pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@30µA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：134pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004ENDTL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500，"19+"：37000，"22+"：39000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R1K5CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@30µA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：134pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：134pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7NM60N
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004ENDTL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004ENDTL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：134pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004ENDTL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004ENDTL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF9N60M2
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：320pF@100V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：780mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
