品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:26W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:26W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:15.1A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3565}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:26W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:15.1A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":51000,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:26W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:84pF@100V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R3K0CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:84pF@100V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6002END3TL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6002END3TL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:15.1A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:15.1A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:15.1A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:26W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:26W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6002END3TL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:15.1A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: