品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3565}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
功率:26W
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
栅极电荷:19nC@10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3565}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: