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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
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输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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功率：26W
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连续漏极电流：1.7A
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功率：26W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
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输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
输入电容：65pF@25V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：40V
功率：26W
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
栅极电荷：19nC@10V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
输入电容：65pF@25V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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