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    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RMW200N03TB

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7270pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16410Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@12.5V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订1158个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订1158个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":55,"06+":1394,"07+":5579,"08+":632817,"11+":2190,"14+":5000,"16+":4400,"17+":900,"MI+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6294

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7270pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7270pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订962个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订962个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6294

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17307Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@11A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17307Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@11A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306GTA 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4306GTA 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4306GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16340Q3 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16340Q3 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16340Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16404Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16404Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16404Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17527Q5A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17527Q5A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17527Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:506pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:0609

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17302Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:16A€87A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@14A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17302Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:16A€87A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@14A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17307Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@11A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17510Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17510Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17510Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@15V

    连续漏极电流:20A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STQ1NK60ZR-AP 起订8个装
    ST Mosfet场效应管 STQ1NK60ZR-AP 起订8个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:94pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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