采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120K-A
工作温度：-40℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1390pF@1000V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：460}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120D-A
工作温度：-40℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1390pF@1000V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120K-A
工作温度：-40℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.6V@5mA
栅极电荷：53nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1390pF@1000V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：5.7V@3.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@8.5A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120K-A
工作温度：-40℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1390pF@1000V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
