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    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~175℃
    栅极电荷: 50nC@10V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA040N06NM5SXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA040N06NM5SXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA040N06NM5SXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:3.3V@50µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:72A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@72A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C423NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D1N04CLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D1N04CLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D1N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€83W

    阈值电压:2V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:29A€132A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70090E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70090E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D1N04CLTWG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D1N04CLTWG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D1N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€83W

    阈值电压:2V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:29A€132A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70090E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70090E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NLAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NLAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C442NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:29A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19501KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:217W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3980pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19501KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:217W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3980pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19501KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:217W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3980pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C423NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C423NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NLAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NLAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C442NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:29A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA040N06NM5SXKSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA040N06NM5SXKSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA040N06NM5SXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:3.3V@50µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:72A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@72A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19501KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:217W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3980pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA040N06NM5SXKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA040N06NM5SXKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":7816,"20+":900,"22+":1450}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA040N06NM5SXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:3.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:72A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@72A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA34EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA34EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA34EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C442NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:27A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NLAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NLAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C442NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:29A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D1N04CLTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D1N04CLTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D1N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€83W

    阈值电压:2V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:29A€132A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NLAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NLAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C442NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:29A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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