采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6007LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR014TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：35A€224A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6007LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H615NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4860pF@30V
连续漏极电流：28A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@49A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：247pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@3A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR014TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR024TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLU024PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：管件
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR014TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6007LFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：247pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@3A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR014TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR014TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€41W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
连续漏极电流：13A€30A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6007LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002TQ-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：13.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
