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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3408}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1003DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
导通电阻：4mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：59nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
输入电容：5300pF@40V
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：116A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：3100pF@15V
类型：N沟道
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：59nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：4mΩ@30A，10V
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
阈值电压：4V@1mA
功率：1.6W€78W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
