销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3162
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:4.1V@8µA
栅极电荷:0.15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6pF@25V
连续漏极电流:34mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75NF20
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N60
工作温度:-50℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7112DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2N60A
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2N60A
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW15NK50Z
工作温度:-50℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2260pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7466
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:15A€30A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NK50Z
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7N65
工作温度:-50℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.56Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3T40P
工作温度:-50℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:139pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7N65
工作温度:-50℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.56Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2N60
工作温度:-50℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH112DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75NF20
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7N65
工作温度:-50℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.56Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW75NF20
工作温度:-50℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR6225TRPBF
工作温度:-50℃~150℃
功率:63W
阈值电压:1.1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@21A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR6225TRPBF
工作温度:-50℃~150℃
功率:63W
阈值电压:1.1V@50µA
栅极电荷:72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@21A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD5N40
工作温度:-50℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7N65
工作温度:-50℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.56Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N60
工作温度:-50℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS782DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:41W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:30.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2N60
工作温度:-50℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.4Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7N65
工作温度:-50℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.56Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR6225TRPBF
工作温度:-50℃~150℃
功率:63W
阈值电压:1.1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@21A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: