采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138BKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@380mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138K-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：1nC@4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE138K_R1_00001
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：1nC@4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：42，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4405NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG311N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1265pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138WQ-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：828458}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4405NT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2356DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@20V
连续漏极电流：3.2A€4.3A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@3.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
