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    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0503NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:22A€88A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订904个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订904个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3619,"23+":5376}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:904
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R600P7AKMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R600P7AKMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU80R600P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AON7254 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7254 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7254

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€39W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@75V

    连续漏极电流:5.5A€17A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD6N40CTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR320TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4486

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@50V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:1173pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2W€40W

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR320PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:353
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R600P7AKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R600P7AKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":19480}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS80R600P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:479
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N40C
    onsemi Mosfet场效应管 FQP6N40C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4000,"18+":7000,"22+":720,"MI+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N40C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:565
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5402T1 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5402T1 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS5402T1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1687
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03MSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC120N03MSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC120N03MSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:11A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7308DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS7580 起订404个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS7580 起订404个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):404psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7580

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€27W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1190pF@13V

    连续漏极电流:15A€29A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:404
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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