品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0503NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:22A€88A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3619,"23+":5376}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R600P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD6N40CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@25V
连续漏极电流:5.5A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4486
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:1173pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2W€40W
导通电阻:34mΩ@15A,10V
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:5.5A€25A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@10V
连续漏极电流:4.5A€5.9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N60C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:810pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.75A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":19480}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R600P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"17+":4000,"18+":7000,"22+":720,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N40C
工作温度:-55℃~150℃
功率:73W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5402T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€39A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7308DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):404psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€27W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1190pF@13V
连续漏极电流:15A€29A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: