品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4806CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:961pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4806CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:961pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3430_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3430_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3430_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3412-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4806CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:961pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3134NT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4806CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:961pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4806CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:961pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3412-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: