品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NC1R5CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS127SSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.08nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.8pF@25V
连续漏极电流:50mA
类型:N沟道
导通电阻:160Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4351pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@24.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2500,"22+":891}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R210CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:64W
阈值电压:4.5V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1N60ATRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:229pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@840mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG068N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2628pF@100V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:795pF@100V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9.5A
漏源电压:600V
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G
输入电容:2587pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@11.7A,10V
功率:329W
包装方式:管件
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
连续漏极电流:38A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R028G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:391W
阈值电压:4V@1.44mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4820pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@28.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB9N60APBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R075CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:188W
阈值电压:4.5V@570µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2103pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@11.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: