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    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 320mW
    当前匹配商品:60+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF020N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45.8pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@270mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF020N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002AK,LM 起订35个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002AK,LM 起订35个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):T2N7002AK,LM

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:35
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-7 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-7 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002BK,LM
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002BK,LM

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):T2N7002BK,LM

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002BK,LM
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002BK,LM

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):T2N7002BK,LM

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:33
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45.8pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@270mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45.8pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@270mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    ROHM Mosfet场效应管 RUF025N02TL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUF025N02TL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF025N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002AK,LM
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002AK,LM

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):T2N7002AK,LM

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:35
    ROHM Mosfet场效应管 RUF025N02TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUF025N02TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF025N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RUL035N02TR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUL035N02TR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUL035N02TR

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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