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    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 74W
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@40V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPLK60R360PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:534pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@75V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2683pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":72000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1374
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R460CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R460CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R460CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@100V

    连续漏极电流:13.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:785
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-60YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-60YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":14380}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@30V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1340
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@75V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@75V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1215pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPLK60R360PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:534pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-60YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-60YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@30V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC360N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@75V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1215pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS1D4N03S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS1D4N03S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2359}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS1D4N03S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10250pF@15V

    连续漏极电流:211A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.09mΩ@38A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS1D4N03S 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS1D4N03S 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2359}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS1D4N03S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10250pF@15V

    连续漏极电流:211A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.09mΩ@38A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R3-40YS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1215pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN039-100YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1847pF@50V

    连续漏极电流:28.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:39.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2683pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R460CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R460CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R460CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@100V

    连续漏极电流:13.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-60YS,115 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-60YS,115 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":17480}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@30V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-25MLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-25MLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-25MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2490pF@12V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.27mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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