首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 1.2W
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2324

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2324

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2324

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2324

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2324

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    连续漏极电流:2A

    输入电容:330pF@50V

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    输入电容:888pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:856pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    MCC Mosfet场效应管 SI2324A-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2324A-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2324A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:856pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    MCC Mosfet场效应管 SI2324A-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2324A-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2324A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K361R,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K361R,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K361R,LF

    工作温度:175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 SI2324A-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2324A-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2324A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Central Mosfet场效应管 CXDM6053N TR PBFREE
    Central Mosfet场效应管 CXDM6053N TR PBFREE

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CXDM6053N TR PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    MCC Mosfet场效应管 SI2310B-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2310B-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:247pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    MCC Mosfet场效应管 SI2324A-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2324A-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2324A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525ZTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525ZTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4525ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:72pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧