品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2312
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.05nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2324
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2312
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.05nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2312
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.05nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2324
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2312
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.05nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2312
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.05nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2312
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.05nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2312
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.05nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2324
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2312
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.05nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2312
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.05nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2312
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.05nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2312
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.05nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2324
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2324
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:1.2W
连续漏极电流:2A
输入电容:330pF@50V
导通电阻:280mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2312
输入电容:888pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
功率:1.2W
栅极电荷:11.05nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361R,LF
工作温度:175℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CXDM6053N TR PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310B-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:247pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: