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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

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    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

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    功率:125W

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    栅极电荷:37nC@10V

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    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2118pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:70A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:2118pF@30V

    漏源电压:60V

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:70A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:2118pF@30V

    漏源电压:60V

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N10S312ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N10S312ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70N10S312ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":30000,"23+":14870,"24+":3831,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@50V

    连续漏极电流:14.9A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:176
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@50V

    连续漏极电流:14.9A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0403NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0403NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0403NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@35A,10

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@75V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@38A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IGOT60R070D1AUMA3
    INFINEON Mosfet场效应管 IGOT60R070D1AUMA3

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IGOT60R070D1AUMA3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@400V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N10S3L12ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N10S3L12ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.8mΩ@70A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN190-650FBEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN190-650FBEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@12.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:96pF@400V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.9A,6V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD90330E-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N043ATMA1 起订465个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N043ATMA1 起订465个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5000,"22+":20540,"23+":146926,"24+":38907,"MI+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@63µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3860pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:465
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":590}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@75V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@38A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:261
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD082N10N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD082N10N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD082N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@75µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@73A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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