品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WT106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@30V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@310mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1828TE85LF
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5pF@3V
连续漏极电流:50mA
类型:N沟道
导通电阻:40Ω@10mA,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHU003N03FRAT106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1828TE85LF
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5pF@3V
连续漏极电流:50mA
类型:N沟道
导通电阻:40Ω@10mA,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RHU002N06T106
工作温度:150℃
功率:200mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2009TE85LF
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@3V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50MA,2.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:680mΩ@400mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WT106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@30V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@310mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2009TE85LF
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@3V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50MA,2.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJU002N06T106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@200mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RHU002N06T106
工作温度:150℃
功率:200mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHU003N03FRAT106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RJU003N03T106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJU002N06T106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@200mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15F,LF
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.8pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHU003N03FRAT106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:680mΩ@400mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RHU002N06T106
工作温度:150℃
功率:200mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2009TE85LF
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@3V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50MA,2.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS670T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:650mA
类型:N沟道
导通电阻:680mΩ@650mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKWT106
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:680mΩ@380mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15F,LF
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.8pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: