采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@760µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2721pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP8N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N10NSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@50V
连续漏极电流：11.4A€90A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW90R500C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP15N60C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@675µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@9.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N10NSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@50V
连续漏极电流：11.4A€90A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0802LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@115µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@50V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R070CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@760µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2721pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@15.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT11N80BC3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1585pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC080N12LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.4V@112µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@60V
连续漏极电流：12A€99A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@50A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4014，"23+"：3396}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC105N10LSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@50V
连续漏极电流：11.4A€90A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT65R105G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R070CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@760µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2721pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@15.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT65R105G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW11N80C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW11N80C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC082N10LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@50V
连续漏极电流：13.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC082N10LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@50V
连续漏极电流：13.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0802LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@115µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@50V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：240，"19+"：480}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW15N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1820pF@25V
连续漏极电流：13.4A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@9.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：27100，"23+"：5520，"MI+"：240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW15N60C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@675µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@9.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
