采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24000，"MI+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ045N03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4825，"MI+"：846}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4898NFT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW€73.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3233pF@12V
连续漏极电流：13.2A€117A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E321GNTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@15V
连续漏极电流：32A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4825NFET1G
工作温度：-40℃~150℃
功率：950mW€96.2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5660pF@15V
连续漏极电流：17A€171A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHK005N03FRAT146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5625，"22+"：2889，"23+"：3177}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18808，"23+"：9885，"24+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€54W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€75A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E321GNTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@15V
连续漏极电流：32A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU003N03FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5625，"22+"：2889，"23+"：3177}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR025N03HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHK005N03FRAT146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18808，"23+"：9885，"24+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€54W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€75A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24000，"MI+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4325pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4825，"MI+"：846}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4898NFT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW€73.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3233pF@12V
连续漏极电流：13.2A€117A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR025N03HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU003N03FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@300mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：13315，"12+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4898NFT1G
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3233pF@12V
连续漏极电流：13.2A€117A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
