采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS002N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@40V
连续漏极电流：29A€229A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST026N10NM5AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€313W
阈值电压：3.8V@148µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：27A€248A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD97N06-6M3L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6060pF@25V
连续漏极电流：97A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7880ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"23+"：111}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS002N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@40V
连续漏极电流：29A€229A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7880ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14669}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST026N10NM5AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€313W
阈值电压：3.8V@148µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：27A€248A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD97N06-6M3L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6060pF@25V
连续漏极电流：97A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：13，"18+"：2735，"19+"：3200，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK663R2-40C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：204W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8020pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD97N06-6M3L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6060pF@25V
连续漏极电流：97A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14669}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST026N10NM5AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€313W
阈值电压：3.8V@148µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：27A€248A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS002N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@40V
连续漏极电流：29A€229A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD97N06-6M3L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6060pF@25V
连续漏极电流：97A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：13，"18+"：2735，"19+"：3200，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK663R2-40C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：204W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8020pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：14669}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST026N10NM5AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€313W
阈值电压：3.8V@148µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：27A€248A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS002N08MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：4V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@40V
连续漏极电流：29A€229A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"23+"：111}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD97N06-6M3L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6060pF@25V
连续漏极电流：97A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：13，"18+"：2735，"19+"：3200，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK663R2-40C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：204W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8020pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"23+"：111}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R4-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
