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    ECCN
    栅极电荷
    工作温度
    漏源电压
    20V
    行业应用
    连续漏极电流
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 10nC@4.5V
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:50+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订3000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2302 起订3000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":192000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3501NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:802
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:237pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:237pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:237pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28UNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28UNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28UNEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€3.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@10V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN339AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN339AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":192000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3501NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28UNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28UNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28UNEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€3.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@10V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28UNEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28UNEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28UNEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€3.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@10V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28UNEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28UNEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28UNEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€3.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@10V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:237pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:237pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:237pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NXP Mosfet场效应管 PMN25UN,115
    NXP Mosfet场效应管 PMN25UN,115

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":3096,"MI+":1459}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN25UN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4007
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:237pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:237pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN339AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN339AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN
    onsemi Mosfet场效应管 FDN339AN

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN339AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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