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    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 75nC@10V
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:80+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3662

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@50V

    连续漏极电流:8.9A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FCB290N80
    onsemi Mosfet场效应管 FCB290N80

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB290N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:212W

    阈值电压:4.5V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3205pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000,"23+":1600,"MI+":800}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:273
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R160C6FKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R160C6FKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":240}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R160C6FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:176W

    阈值电压:3.5V@750µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1660pF@100V

    连续漏极电流:23.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:162
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FCB290N80 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB290N80 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB290N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:212W

    阈值电压:4.5V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3205pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF290N80
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF290N80

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF290N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3205pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:109
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R160C6XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R160C6XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R160C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:176W

    阈值电压:3.5V@750µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1660pF@100V

    连续漏极电流:23.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF290N80 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF290N80 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF290N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3205pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF290N80
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF290N80

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF290N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3205pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF290N80
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF290N80

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF290N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3205pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FQAF16N50
    onsemi Mosfet场效应管 FQAF16N50

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQAF16N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@5.65A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3662

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@50V

    连续漏极电流:8.9A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3662

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@50V

    连续漏极电流:8.9A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H414NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H414NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H414NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4550pF@20V

    连续漏极电流:35A€210A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20
    onsemi Mosfet场效应管 FDP61N20

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP61N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@30.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R160C6XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R160C6XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R160C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.5V@750µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1660pF@100V

    连续漏极电流:23.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    AOS Mosfet场效应管 AONS66614
    AOS Mosfet场效应管 AONS66614

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS66614

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@30V

    连续漏极电流:34.5A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH070N60EF-T1GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH070N60EF-T1GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:202W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2647pF@100V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:71mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AONS66614
    AOS Mosfet场效应管 AONS66614

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS66614

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@30V

    连续漏极电流:34.5A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H414NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H414NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H414NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4550pF@20V

    连续漏极电流:35A€210A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AONS66614
    AOS Mosfet场效应管 AONS66614

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS66614

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@30V

    连续漏极电流:34.5A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
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