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    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 53nC@10V
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:70+
    商品信息
    参数
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    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ034N06LM5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ034N06LM5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ034N06LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:19A€112A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP052N08N5AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP052N08N5AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":14661,"16+":21,"22+":195,"23+":250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP052N08N5AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@66µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3770pF@40V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:341
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB049N08N5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB049N08N5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB049N08N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@66µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3770pF@40V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E07-55B,127
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E07-55B,127

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":194,"11+":650}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E07-55B,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:203W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3760pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:378
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y3R5-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y3R5-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3441pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":3223}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4680pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NTB7D3N15MC
    onsemi Mosfet场效应管 NTB7D3N15MC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB7D3N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€166W

    阈值电压:4.5V@342µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@75V

    连续漏极电流:15.2A€101A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@62A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ034N06LM5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ034N06LM5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ034N06LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:19A€112A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB049N08N5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB049N08N5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB049N08N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@66µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3770pF@40V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4680pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":3223}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD046N08N5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD046N08N5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4950}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD046N08N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@65µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3800pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@45A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E07-55B,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK7E07-55B,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":194,"11+":650}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E07-55B,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:203W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3760pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP052N08N5AKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP052N08N5AKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":14661,"16+":21,"22+":195,"23+":250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP052N08N5AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@66µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3770pF@40V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ034N06LM5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ034N06LM5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ034N06LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:19A€112A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ034N06LM5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ034N06LM5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ034N06LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:19A€112A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18532KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4680pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD046N08N5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD046N08N5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4950}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD046N08N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@65µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3800pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@45A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:304
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y3R5-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y3R5-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3441pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ034N06LM5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ034N06LM5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ034N06LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:19A€112A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y3R5-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y3R5-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3441pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5L054ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5L054ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":23530}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N10S5L054ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:2.2V@64µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3744pF@50V

    连续漏极电流:101A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:487
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":3223}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:93
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