首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型
    ECCN
    栅极电荷
    工作温度
    行业应用
    包装方式
    漏源电压
    连续漏极电流
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 70nC@10V
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:70+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G 起订125个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G 起订125个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":39000,"23+":60000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:125
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP80N08S406AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP80N08S406AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":17535,"19+":43000,"22+":10500,"23+":2271,"9999":448,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP80N08S406AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:222
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N08S406ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N08S406ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N08S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:339
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.5W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@50V

    连续漏极电流:21.1A€90.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA50N20P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA50N20P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA50N20P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:360W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2720pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@50A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N08S406ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N08S406ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N08S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP80N08S406AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP80N08S406AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":17535,"19+":43000,"22+":10500,"23+":2271,"9999":448,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP80N08S406AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP80N08S406AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP80N08S406AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":17535,"19+":43000,"22+":10500,"23+":2271,"9999":448,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP80N08S406AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":39000,"23+":60000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.5W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@50V

    连续漏极电流:21.1A€90.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70P04P409ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70P04P409ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":760,"22+":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70P04P409ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@25V

    连续漏极电流:72A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.5W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@50V

    连续漏极电流:21.1A€90.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1200
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":37500,"22+":255000,"23+":10500,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI80N08S406AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI80N08S406AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":6785}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI80N08S406AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:115
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA50N20P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA50N20P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA50N20P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:360W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2720pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@50A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":37500,"22+":255000,"23+":10500,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:212
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D5N04CLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D5N04CLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6546}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMJS1D5N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.5W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@50V

    连续漏极电流:21.1A€90.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧