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    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    包装方式: 散装
    漏源电压: 100V
    当前匹配商品:50+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3480-AZ 起订89个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3480-AZ 起订89个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":10,"17+":200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3480-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1.5W€84W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3600pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-H 起订396个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1445-H 起订396个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":5500,"18+":9900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1445-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:111mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":18594}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3821-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€65W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订584个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订584个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110A 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110A 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2110A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":18594}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3821-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€65W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":18594}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3821-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€65W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1085}

    包装规格(MPQ):268psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6413ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":18594}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3821-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€65W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310A 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:40pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110A 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110A 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2110A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD123PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110A 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110A 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2110A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3483-AZ 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3483-AZ 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3077}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3483-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2300pF@10V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD123PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3483-AZ 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3483-AZ 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3077}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3483-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2300pF@10V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4210A 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4210A 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4210A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:450mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订119个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3821-E 起订119个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":18594}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3821-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€65W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订589个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订589个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1000,"19+":1000}

    包装规格(MPQ):489psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1000,"19+":1000}

    包装规格(MPQ):489psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN200N10L2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN200N10L2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTN200N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830W

    阈值电压:4.5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:540nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:23000pF@25V

    连续漏极电流:178A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1443-W 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1443-W 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4900}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1443-W

    工作温度:150℃

    功率:1W€19W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:490pF@20V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:225mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订589个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订589个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":860}

    包装规格(MPQ):489psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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