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    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    包装方式: 管件
    行业应用: 工业
    栅极电荷: 100nC@10V
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
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    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:103
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R070P6FKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R070P6FKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":240}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ60R070P6FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4.5V@1.72mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@100V

    连续漏极电流:53.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:29
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH64N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3620pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH64N10L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH64N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3620pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R070P6FKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ60R070P6FKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":240}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ60R070P6FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4.5V@1.72mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@100V

    连续漏极电流:53.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP35N15G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€178W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF150P221AKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF150P221AKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF150P221AKMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€341W

    阈值电压:4.6V@264µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6000pF@75V

    连续漏极电流:186A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF150P221AKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF150P221AKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF150P221AKMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€341W

    阈值电压:4.6V@264µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6000pF@75V

    连续漏极电流:186A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:510
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":752}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:191
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA64N10L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA64N10L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA64N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3620pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:345
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP35N15G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€178W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:239
    Microchip Mosfet场效应管 APT1201R2BFLLG 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT1201R2BFLLG 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT1201R2BFLLG

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2540pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@6A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP075N15A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP075N15A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP35N15G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€178W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":752}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP075N15A-F102 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":170,"MI+":50}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP075N15A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R070P6XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R070P6XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R070P6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:391W

    阈值电压:4.5V@1.72mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@100V

    连续漏极电流:53.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@20.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":28,"22+":483}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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