采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MTP3055VL
工作温度：-65℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3L050GNTB
工作温度：150℃
功率：14.8W
阈值电压：2.5V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3L050GNTB
工作温度：150℃
功率：14.8W
阈值电压：2.5V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7855TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3L050GNTB
工作温度：150℃
功率：14.8W
阈值电压：2.5V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：339，"05+"：893，"06+"：1577，"07+"：1123，"08+"：1107，"09+"：313}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MTP3055VL
工作温度：-65℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@5V
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
